型号: MRF19120
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 15 V
增益: 11.7 dB
输出功率: 15 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230-5
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 1.9 GHz
Pd-功率耗散: 389 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：张生
Q Q:
联系人：颜伟
电话：13661569158
Q Q:
联系人：陈
电话：13682256111
Q Q:
