型号: MRF221
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: Bipolar Power
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 5
集电极—发射极最大电压 VCEO: 18 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
集电极连续电流: 2.5 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
配置: Single
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: 211-07
封装: Tray
工作频率: 175 MHz
类型: RF Bipolar Power
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 31 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
子类别: Transistors
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:Alien
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:李
联系人:陈先生
电话:13008812305
联系人:程双
电话:18390158827
联系人:陈
电话:18138247901