型号: MRF5812LF-CP
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: MRF5812LF
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50
集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.5 V
集电极连续电流: 200 mA
最小工作温度: -
最大工作温度: -
配置: -
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
封装: Bulk
工作频率: 5 GHz
输出功率: -
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流: 200 mA
Pd-功率耗散: 1.25 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
单位重量: 74 mg
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