型号: MRF6522-70
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
增益: 16 dB
输出功率: 80 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-600-3
商标: Freescale Semiconductor
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 0.94 GHz
Pd-功率耗散: 159 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：郑涛
电话：13924625921
Q Q:
联系人：朱军
Q Q:
联系人：邓升
电话：15818772409
Q Q:
