型号: MRF6S18060MBR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880MHZ 60W TO272WB4
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 12 V
增益: 15 dB
输出功率: 60 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-272-4 WB EP
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1.8 GHz to 2 GHz
Pd-功率耗散: 216 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
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