型号: MRF6S19060N
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, 12 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270 WB EP
商标: Freescale Semiconductor
最小工作温度: - 65 C
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