型号: MRF6S20010GNR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.08 mm
长度: 9.7 mm
系列: MRF6S20010N
宽度: 6.15 mm
商标: NXP / Freescale
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 12 V
零件号别名: 935313674528
单位重量: 548 mg
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