型号: MRF6S23100H
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 12 V
增益: 15.4 dB
输出功率: 20 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780-3
商标: Freescale Semiconductor
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 2.3 GHz to 2.4 GHz
Pd-功率耗散: 330 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：陈亿宏
电话：13682435650-
Q Q:
联系人：胡
Q Q:
