型号: MRF6VP11KHR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual Common Source
高度: 5.08 mm
长度: 41.28 mm
系列: MRF6VP11KH
类型: RF Power MOSFET
宽度: 10.29 mm
商标: NXP / Freescale
通道模式: Enhancement
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
零件号别名: 935309981178
单位重量: 13.155 g
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