型号: MRF6VP3091NR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 115 V
增益: 21.8 dB
输出功率: 18 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270
封装: Reel
配置: Dual
工作频率: 0.47 GHz to 0.86 GHz
系列: MRF6VP3091N
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
零件号别名: 935314619528
单位重量: 1.635 g
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：张先生
电话：18924795472
Q Q:
联系人：蓝S
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
