型号: MRF7P20040HR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 2GHZ 40W NI780H-4
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: Freescale Semiconductor
Id-连续漏极电流: 150 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
增益: 18.2 dB
输出功率: 10 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780-4
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1.8 GHz to 2.2 GHz
工厂包装数量: 250
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
单位重量: 6.425 g
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