型号: MRF8P20140WHR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 16 dB
输出功率: 24 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780-4
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1.88 GHz to 2.025 GHz
系列: MRF8P20140WH
商标: NXP / Freescale
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
零件号别名: 935310716128
单位重量: 6.447 g
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾先生
电话：18002563597
Q Q:
联系人：宋小姐，唐先生
电话：13422885204
Q Q:
联系人：周生
电话：18126187240
Q Q:
