型号: MRF8P29300HSR6
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 13.3 dB
输出功率: 320 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230S
封装: Reel
配置: Dual
工作频率: 2.7 GHz to 2.9 GHz
系列: MRF8P29300H
商标: NXP / Freescale
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 150
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V
零件号别名: 935310588128
单位重量: 8.518 g
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