型号: MRF8S21172HSR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
增益: 17.5 dB at 2.17 GHz
输出功率: 42 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 2.11 GHz to 2.17 GHz
工厂包装数量: 250
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
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