型号: MRF8S21172HSR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
增益: 17.5 dB at 2.17 GHz
输出功率: 42 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 2.11 GHz to 2.17 GHz
工厂包装数量: 250
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：183
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13243798449
Q Q:
联系人：田德光
电话：181-26040415
Q Q:
