型号: MRF9030MBR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER FET 30W 1 GHZ
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 15 V
增益: 20 dB
输出功率: 30 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-272-3 EP
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1 GHz
Pd-功率耗散: 139 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.9 V
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：颜小姐
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联系人：连
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联系人：谢先生
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Q Q:
