型号: MRF9130LSR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS NI-780LS
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 15 V
增益: 16.5 dB
输出功率: 135 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S-3
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 921 MHz to 960 MHz
Pd-功率耗散: 298 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘吉勇
电话：18814467775
Q Q:
联系人：韩小姐
电话：13715217880
Q Q:
联系人：洪先生
电话：83681378
Q Q:
