型号:  MRFE6VP6300HR5

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  100 mA

Vds-漏源极击穿电压:  130 V

增益:  26.6 dB

输出功率:  300 W

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  NI-780-4

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

工作频率:  1.8 MHz to 600 MHz

系列:  MRFE6VP6300

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

Pd-功率耗散:  1.05 kW

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

零件号别名:  935317343178

单位重量:  6.396 g