型号:  MRFE8VP8600HR5

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  Dual N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  2.8 A

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 115 V

增益:  21 dB

输出功率:  140 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  NI-1230H-4

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

工作频率:  470 MHz to 860 MHz

系列:  MRFE8VP8600H

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

通道数量:  2 Channel

Pd-功率耗散:  1.25 kW

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

零件号别名:  935318365178

单位重量:  13.164 g