型号: MRFG35003N6AT1
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
增益: 10 dB
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V
Id-连续漏极电流: 2.9 A
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single Dual Source
工作频率: 3.55 GHz
产品: RF JFET
系列: MRFG35003N6AT1
类型: GaAs pHEMT
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
P1dB - 压缩点: 3 W
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
零件号别名: 935309639515
单位重量: 280 mg
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