型号: MRFG35010N
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
增益: 10 dB
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V
Id-连续漏极电流: 2.9 A
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 22.7 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 3.55 GHz
P1dB - 压缩点: 9 W
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