型号: MRFX600GSR5
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600GS/CFM4///REEL 13
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 32 A
Vds-漏源极击穿电压: 193 V
增益: 26.4 dB
输出功率: 600 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780GS-4L
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 1.8 MHz to 400 MHz
系列: MRFX600
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 1.333 kW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
零件号别名: 935376368178
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