型号: MSAFA1N100D
功能描述: Trans MOSFET N-CH 1KV 1A Die
制造商: microsemi
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 1000 V
最大连续漏极电流： 1 A
RDS -于： 13500@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 6.3 ns
典型上升时间： 5.9|5.8 ns
典型关闭延迟时间： 315|76 ns
典型下降时间： 2600|470 ns
工作温度： -55 to 150 °C
标准包装： Bulk
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