型号: MSCSM70HM19CT3AG
功能描述: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
制造商: Microchip Technology
Series: -
Package: Tube
FET Type: 4 N-Channel
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
Power - Max: 365W (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Supplier Device Package: SP3F
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