型号: MT3S111P(TE12L,F)
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: MT3S111P
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
集电极—发射极最大电压 VCEO: 6 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 0.6 V
集电极连续电流: 100 mA
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-62-3
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 8 GHz
商标: Toshiba
最大直流电集电极电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 50 mg
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