型号: MT3S20P(TE12L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： MT3S20P -
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V
频率 - 跃迁： 7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1.45dB @ 1GHz
增益： 16.5dB
功率 - 最大值： 1.8W
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 50mA，5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 80mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-243AA
供应商器件封装： PW-MINI
其它名称： MT3S20P(TE12LF)TR
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