型号: MTB095N10KRL3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.6V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.3A
栅源极阈值电压: 2.6V @ 250uA
漏源导通电阻: 140mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: N沟道
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：刘先生
Q Q:
联系人：陈之平
电话：88600487
Q Q:
联系人：任亚洲
电话：13549237550
Q Q:
