型号: MTB30P06VG
功能描述: MOSFET
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Rail
商标: ON Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 52.4 ns
正向跨导 - 最小值: 7.9 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25.9 ns
典型关闭延迟时间: 98 ns
典型接通延迟时间: 14.7 ns
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