型号: MTB340N11N6
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：110V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：430mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 110V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.9A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 430mΩ @ 1.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：聂绍明
电话：13823729687
Q Q:
联系人：罗婷
电话：18807350822
Q Q:
Shanghai Hua' ai electronic technology co., ltd
联系人：赵先生
电话：18260268891
Q Q:
