型号: MTB40N10E
功能描述: MOSFET
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 40 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Rail
商标: ON Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 97 ns
正向跨导 - 最小值: 21 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 165 ns
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：张先生
电话：13723412442
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：杨先生
电话：18123807565
Q Q:
