型号: MTC6601N6
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A,2.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：N沟道和P沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.7A,2.7A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.14W
类型: N沟道和P沟道
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