型号: MTD10N10ELT4G
功能描述: MOSFET
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 10 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 38 ns
正向跨导 - 最小值: 7.9 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 74 ns
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
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