型号: MTD20N06HDT4
功能描述: MOSFET
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 20 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 36 ns
正向跨导 - 最小值: 6 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 61.2 ns
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9.2 ns
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：刘钰泉
电话：15675495666
Q Q:
联系人：郭诗
电话：14776865315
Q Q:
联系人：刘庆
电话：18221065881
Q Q:
