型号: MTD6N20E1
功能描述: MOSFET
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 470 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Rail
商标: ON Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 29 ns
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 8.8 ns
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