型号: MTDP2004S6R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双P沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 500mA
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 900mΩ @ 430mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300mW
类型: 双P沟道
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