型号: MTE65N20H8
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W(Tc) 类型:N沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 24A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 80mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 107W(Tc)
类型: N沟道
联系人:Alien
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:曾小姐
联系人:王小康
电话:18188642307
联系人:王俊杰
电话:18818598465
联系人:沈容容
电话:18003262360
联系人:徐吉刚
电话:13426409278
联系人:Helan
电话:13924672242