型号: MTEF1P15Q8
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 1.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.6A
栅源极阈值电压: 3.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 800mΩ @ 1.6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W
类型: P沟道
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