型号: MTN7451Q8
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
制造商: CYSTECH(全宇昕)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 4.5A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 73mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 3.1W
类型: N沟道
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