型号: MTP10N10EL
功能描述: TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 15 V
漏极连续电流: 10 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.22 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 38 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 7.9 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 40 W
上升时间: 74 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 17 ns
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