型号: MTP12P10G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 12A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 50nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 920pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 75W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 300 毫欧 @ 6A，10V
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220AB
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 100V
连续漏极电流ID： 12A
无铅情况/RoHs： 否
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