型号: MTP23P06V
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 50nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1620pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 90W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 120 毫欧 @ 11.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13554918840
Q Q:
联系人：李旭全
电话：15099933079
Q Q:
联系人：廖泽坤
Q Q:
