型号: MV2N4857
功能描述: Transistor
制造商: Microsemi
FET类型： N 沟道
漏源电压（Vdss）： 40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）： 100mA @ 15V
不同Id时的电压-截止（VGS关）： 6V @ 500pA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 18pF @ 10V
电阻-RDS（开）： 40 欧姆
功率-最大值： 360mW
工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-18（TO-206AA）
无铅情况/RoHs： 否
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：苏月
电话：13312973693
Q Q:
联系人：陈锦东
Q Q:
联系人：蔡先生，谢小姐
电话：13925253466
Q Q:
