型号: MV2N4857
功能描述: Transistor
制造商: Microsemi
FET类型： N 沟道
漏源电压（Vdss）： 40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）： 100mA @ 15V
不同Id时的电压-截止（VGS关）： 6V @ 500pA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 18pF @ 10V
电阻-RDS（开）： 40 欧姆
功率-最大值： 360mW
工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-18（TO-206AA）
无铅情况/RoHs： 否
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