型号: MV2N5116
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： P 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 30V
漏源电压（Vdss）： 30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 25mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 6V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 27pF @ 15V
电阻 - RDS（开）： 100 Ohms
功率 - 最大值： 500mW
工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装： TO-18（TO-206AA）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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