型号: MVB50P03HDLT4G
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: 汽车级,AEC-Q101
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 25 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 100nC @ 5V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 4.9nF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK-3
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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