型号: MVB50P03HDLT4G
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 25 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 100nC @ 5V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4.9nF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK-3
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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