型号: MVGSF1N02LT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 750mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 125pF @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 90 毫欧 @ 1.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 0.75A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：董先生
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Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
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Q Q:
