型号: MVMBF0201NLT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 45pF @ 5V
功率耗散（最大值）： 225mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1 欧姆 @ 300mA，10V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 300mA（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
漏源电压（Vdss）： 20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
Vgs（最大值）： ±20V
供应商器件封装： SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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