型号: MVSF2N02ELT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 150pF @ 5V
功率耗散(最大值): 1.25W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.8A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.5nC @ 4V
漏源电压(Vdss): 20V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
Vgs(最大值): ±8V
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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