型号: MVSF2N02ELT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 150pF @ 5V
功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.8A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 3.5nC @ 4V
漏源电压（Vdss）： 20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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