型号:  MW6S010GNR1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Vds-漏源极击穿电压:  68 V

增益:  18 dB

输出功率:  10 W

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-270-2

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

高度:  2.08 mm

长度:  9.7 mm

工作频率:  1.5 GHz

系列:  MW6S010N

类型:  RF Power MOSFET

宽度:  5.97 mm

商标:  NXP / Freescale

通道模式:  Enhancement

湿度敏感性:  Yes

Pd-功率耗散:  61.4 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.3 V

零件号别名:  935324159528

单位重量:  548 mg