型号: N0300N-T1B-AT
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 350pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 50 毫欧 @ 2A，10V
工作温度： 150°C
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SC-96-3，薄型迷你型塑模
封装/外壳： SC-96
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曾
电话：13424446614
Q Q:
联系人：徐R，李R
Q Q:
联系人：何生
电话：13528771567
Q Q:
