型号: N0602N-S19-AY
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 133nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7730pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta），156W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.6 毫欧 @ 50A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220-3
封装/外壳： TO-220-3 隔离片
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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