型号: NAND01GW3B2CZA6F
功能描述: NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25us 63-Pin VFBGA T/R
制造商: Micron Technology
接口类型： Parallel
定时类型： Asynchronous
地址总线宽度： 28
典型工作电源电压： 3|3.3
欧盟RoHS指令： Compliant
字数： 128M
最低工作温度： -40
电池类型： NAND
供应商封装形式： VFBGA
标准包装名称： BGA
最高工作温度： 85
每字位数： 8
建筑： Sectored
引导块： No
最低工作电源电压： 2.7
引脚数： 63
块组织： Symmetrical
最大工作电流： 30
最大随机存取时间： 25000
封装： Tape and Reel
最大工作电源电压： 3.6
密度： 1G
铅形状： Ball
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：曾舒媚
电话：13682318582
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈敏
电话：15818563015
Q Q:
联系人：郑叶
电话：18901815555
Q Q:
