型号: NAND01GW3B2CZA6F
功能描述: NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25us 63-Pin VFBGA T/R
制造商: Micron Technology
接口类型： Parallel
定时类型： Asynchronous
地址总线宽度： 28
典型工作电源电压： 3|3.3
欧盟RoHS指令： Compliant
字数： 128M
最低工作温度： -40
电池类型： NAND
供应商封装形式： VFBGA
标准包装名称： BGA
最高工作温度： 85
每字位数： 8
建筑： Sectored
引导块： No
最低工作电源电压： 2.7
引脚数： 63
块组织： Symmetrical
最大工作电流： 30
最大随机存取时间： 25000
封装： Tape and Reel
最大工作电源电压： 3.6
密度： 1G
铅形状： Ball
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